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東芝（Toshiba）半導體雙極性晶體管
發(fā)布時間：2021-04-17 15:19:31 點擊量：
品牌：東芝（Toshiba）半導體
型號: 東芝（Toshiba）半導體雙極性晶體管
型號: 東芝（Toshiba）半導體雙極性晶體管
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雙極性晶體管由三部分摻雜程度不同的半導體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結處的擴散作用和漂移運動。以NPN晶體管為例，按照設計，高摻雜的發(fā)射極區(qū)域的電子，通過擴散作用運動到基極。在基極區(qū)域，空穴為多數(shù)載流子，而電子少數(shù)載流子。由于基極區(qū)域很薄，這些電子又通過漂移運動到達集電極，從而形成集電極電流，因此雙極性晶體管被歸到少數(shù)載流子設備。
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